기술: RF MOSFET HEMT 40V 440210
기술: GATE DRVR 150C FOR 1.2KV 325A HI
기술: RF MOSFET HEMT 28V 440166
기술: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2
기술: RF SIC HEMT 340W,2620 - 2690MHZ
기술: EVAL BOARD 1700V SIC BRIDGE GATE
기술: FET RF 65V 2.14GHZ H36260-2
기술: DIODE SCHOTTKY 600V 2.2A TO220-2
기술: IC AMP RF LDMOS
기술: MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247
기술: RF MOSFET HEMT 40V DIE
기술: IC AMP RF LDMOS H-36265-2
기술: MOSFET N-CH 900V 11A
기술: RF MOSFET HEMT 50V 440193
기술: IC AMP RF LDMOS H-37248-4
기술: RF MOSFET HEMT 50V 440162
기술: IC RF AMP 20MHZ-6GHZ 780019
기술: TEST FIXTURE FOR CGHV40300F
기술: MOSFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
기술: E-SERIES 900V, 120 MOHM, G3 SIC
기술: RF MOSFET HEMT 28V 440196
기술: IC RF FET LDMOS 300W PG-HB1SOF-4
기술: RF MOSFET HEMT 28V 440199
기술: DIODE SCHOTTKY 650V 39A TO220-2
기술: ZRECTM 10A 1200V SIC SCHOTTKY DI
기술: MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE
기술: RF MOSFET LDMOS 28V H-36260-2
기술: MOSFET 6N-CH 1200V 87A MODULE
기술: IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2
기술: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
기술: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8.2A TO220
기술: IC AMP 13.75GHZ-14.5GHZ 440208
기술: DIODE SILICON 1.7KV 25A CHIP
기술: EVAL BOARD 1200V SIC BRIDGE GATE
기술: BOARD DEMO AMP CIRC CMPA0060002
기술: IC AMP RF LDMOS H-37275G-6
기술: RF MOSFET HEMT 50V 440217
기술: IC AMP RF LDMOS H-36275-4
기술: ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS
기술: E-SERIES 900V, 280 MOHM, G3 SIC
국가 또는 지역을 선택하십시오.
