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SemiQ

SemiQ

소개

SemiQ 2007 년에 설립 된 Global Power Technologies Group, Inc. (이하 "GPTG")는 SiC (Silicon Carbide) 기술을 기반으로하는 제품에 전념 한 통합 개발 및 제조 회사입니다. 이 제품들은 저비용, 고효율 전력 생산, 변환 및 전송을 위해 첨단 기술이 필요한 미래의 전력 전자 및 에너지 산업의 기초가 될 것입니다.

관련 뉴스

범주
7
제품 센터
373

이산 반도체 제품

GCMS020A120S1-E1

GCMS020A120S1-E1

기술: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD050A010S1-D3

GSXD050A010S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 100V 50A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D012A065A

GP2D012A065A

기술: DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M004A060FG

GP2M004A060FG

기술: MOSFET N-CH 600V 4A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD300A170S2D5

GSXD300A170S2D5

기술: DIODE GP 1.7KV 300A ADD-A-PAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M002A060HG

GP2M002A060HG

기술: MOSFET N-CH 600V 2A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D008A120A

GP2D008A120A

기술: SCHOTTKY DIODE 1200V 8A TO-220-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GCMS080A120B1H1

GCMS080A120B1H1

기술: SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GPA030A120MN-FD

GPA030A120MN-FD

기술: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D020A170B

GP2D020A170B

기술: DIODE SCHOTTKY 1.7KV 20A TO247-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHXS020A060S-D1E

GHXS020A060S-D1E

기술: MOD SBD BRIDGE 600V 20A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD050A015S1-D3

GSXD050A015S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 150V 50A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M008A060FGH

GP2M008A060FGH

기술: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D005A120A

GP2D005A120A

기술: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M009A090H

GP1M009A090H

기술: MOSFET N-CH 900V 9A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHXS060A120S-D3

GHXS060A120S-D3

기술: MOD SBD BRIDGE 1200V 60A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD080A008S1-D3

GSXD080A008S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 80V 80A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXF100A060S1-D3

GSXF100A060S1-D3

기술: DIODE FAST REC 600V 100A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GDP36Z060B

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기술: DIODE SCHOTTKY 600V 36A TO247-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D030A120U

GP2D030A120U

기술: DIODE SIC 1200V 50A TO24

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D036A060B

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기술: DIODE SCHOTTKY 600V 82A TO247-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D050A060B

GP2D050A060B

기술: DIODE SCHOTTKY 600V 50A TO247-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M009A020PG

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기술: MOSFET N-CH 200V 9A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M008A050FG

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기술: MOSFET N-CH 500V 8A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M018A020HG

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기술: MOSFET N-CH 200V 18A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHIS060A060S-A1

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기술: IGBT BOOST CHOP 600V 120A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D020A060U

GP2D020A060U

기술: DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M016A060N

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기술: MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSID300A125S5C1

GSID300A125S5C1

기술: IGBT MODULE 1250V 600A CHASSIS

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D010A060A

GP2D010A060A

기술: SCHOTTKY DIODE 600V 10A TO-220-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M010A060H

GP1M010A060H

기술: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M018A020FG

GP1M018A020FG

기술: MOSFET N-CH 200V 18A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHXS010A060S-D1E

GHXS010A060S-D1E

기술: MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHXS045A120S-D3

GHXS045A120S-D3

기술: DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHIS060A120S1-E1

GHIS060A120S1-E1

기술: SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSID600A120S4B1

GSID600A120S4B1

기술: SILICON IGBT MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M004A060CG

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기술: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD060A015S1-D3

GSXD060A015S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 150V 60A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHIS080A060S-A1

GHIS080A060S-A1

기술: IGBT BOOST CHOP 600V 160A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D003A060C

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기술: DIODE SCHOTTKY 600V 3A DPAK-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M003A050FG

GP1M003A050FG

기술: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M009A060FH

GP1M009A060FH

기술: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D010A170B

GP2D010A170B

기술: DIODE SCHOTTKY 1.7KV 10A TO247-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GCMS080A120B3C1

GCMS080A120B3C1

기술: SIC MOSFET 6-PACK MODULE B2_EASY

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M012A060F

GP2M012A060F

기술: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GDP30P120B

GDP30P120B

기술: DIODE SCHOTTKY 1200V 81A TO247-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M005A040PG

GP1M005A040PG

기술: MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M020A050N

GP1M020A050N

기술: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GPA060A060MN-FD

GPA060A060MN-FD

기술: IGBT 600V 120A 347W TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHXS010A060S-D3

GHXS010A060S-D3

기술: DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
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