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SemiQ

SemiQ

소개

SemiQ 2007 년에 설립 된 Global Power Technologies Group, Inc. (이하 "GPTG")는 SiC (Silicon Carbide) 기술을 기반으로하는 제품에 전념 한 통합 개발 및 제조 회사입니다. 이 제품들은 저비용, 고효율 전력 생산, 변환 및 전송을 위해 첨단 기술이 필요한 미래의 전력 전자 및 에너지 산업의 기초가 될 것입니다.

관련 뉴스

범주
7
제품 센터
373

이산 반도체 제품

GP3D060A120B

GP3D060A120B

기술: DIODE SCHOTTKY 1200V 60A TO247

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD060A012S1-D3

GSXD060A012S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 120V 60A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHIS080A060S-A2

GHIS080A060S-A2

기술: IGBT BUCK CHOP 600V 160A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD100A004S1-D3

GSXD100A004S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 45V 100A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXF100A040S1-D3

GSXF100A040S1-D3

기술: DIODE FAST REC 400V 100A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M004A065PG

GP2M004A065PG

기술: MOSFET N-CH 650V 4A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD030A004S1-D3

GSXD030A004S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 45V 30A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD060A010S1-D3

GSXD060A010S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHIS040A120S-A1

GHIS040A120S-A1

기술: IGBT BOOST CHOP 1200V 80A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXF120A060S1-D3

GSXF120A060S1-D3

기술: DIODE FAST REC 600V 120A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSID100A120T2P2

GSID100A120T2P2

기술: SILICON IGBT MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M007A065HG

GP2M007A065HG

기술: MOSFET N-CH 650V 6.5A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHXS020A060S-D1

GHXS020A060S-D1

기술: MOD SBD BRIDGE 600V 20A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D012A065C

GP2D012A065C

기술: DIODE SCHOTTKY 650V 29A TO252-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHXS010A060S-D4

GHXS010A060S-D4

기술: DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHXS050A170S-D3

GHXS050A170S-D3

기술: 1700V 50A SIC SBD PARALLEL

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP3D050A120B

GP3D050A120B

기술: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M005A060PGH

GP2M005A060PGH

기술: MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M004A090H

GP1M004A090H

기술: MOSFET N-CH 900V 4A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D006A065A

GP2D006A065A

기술: DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M015A050FH

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기술: MOSFET N-CH 500V 14A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD120A015S1-D3

GSXD120A015S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 150V 120A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GCMS010A120S7B1

GCMS010A120S7B1

기술: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M011A090NG

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기술: MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M008A050PG

GP1M008A050PG

기술: MOSFET N-CH 500V 8A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M020A050N

GP2M020A050N

기술: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M006A065FH

GP1M006A065FH

기술: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD050A004S1-D3

GSXD050A004S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 45V 50A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GDP08S120A

GDP08S120A

기술: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO220-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M013A050FH

GP1M013A050FH

기술: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M003A040PG

GP1M003A040PG

기술: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHIS050A060B3P2

GHIS050A060B3P2

기술: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GCMS004A120S7B1

GCMS004A120S7B1

기술: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GCMS007A120S7B1

GCMS007A120S7B1

기술: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHXS020A060S-D3

GHXS020A060S-D3

기술: DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GDP60D120B

GDP60D120B

기술: DIODE SCHOTTKY 1200V 30A TO247-3

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHXS015A120S-D4

GHXS015A120S-D4

기술: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M020A050H

GP2M020A050H

기술: MOSFET N-CH 500V 18A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M016A060FH

GP1M016A060FH

기술: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M016A060H

GP1M016A060H

기술: MOSFET N-CH 600V 16A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M006A065F

GP1M006A065F

기술: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GCMS040A120S1-E1

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기술: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD080A020S1-D3

GSXD080A020S1-D3

기술: DIODE 200V 80A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D012A060D

GP2D012A060D

기술: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO263-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXF060A020S1-D3

GSXF060A020S1-D3

기술: DIODE FAST REC 200V 60A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M008A060PGH

GP2M008A060PGH

기술: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSID300A120S5C1

GSID300A120S5C1

기술: IGBT MODULE 1200V 430A

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M005A060HG

GP2M005A060HG

기술: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHXS045A120S-D1E

GHXS045A120S-D1E

기술: MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHXS060A120S-D4

GHXS060A120S-D4

기술: DIODE SCHOT SBD 1200V 60A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
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