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SemiQ

SemiQ

소개

SemiQ 2007 년에 설립 된 Global Power Technologies Group, Inc. (이하 "GPTG")는 SiC (Silicon Carbide) 기술을 기반으로하는 제품에 전념 한 통합 개발 및 제조 회사입니다. 이 제품들은 저비용, 고효율 전력 생산, 변환 및 전송을 위해 첨단 기술이 필요한 미래의 전력 전자 및 에너지 산업의 기초가 될 것입니다.

관련 뉴스

범주
7
제품 센터
373

이산 반도체 제품

GSXD120A020S1-D3

GSXD120A020S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 200V 120A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M015A050H

GP1M015A050H

기술: MOSFET N-CH 500V 14A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHIS060A120S-A2

GHIS060A120S-A2

기술: IGBT BUCK CHOP 1200V 120A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHIS030A120S-A1

GHIS030A120S-A1

기술: IGBT BOOST CHOP 1200V 60A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD060A004S1-D3

GSXD060A004S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 45V 60A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHIS080A060S1-E1

GHIS080A060S1-E1

기술: IGBT 600V 160A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M003A090PH

GP1M003A090PH

기술: MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHXS030A060S-D3

GHXS030A060S-D3

기술: DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M002A065HG

GP2M002A065HG

기술: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M003A080FH

GP1M003A080FH

기술: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD080A006S1-D3

GSXD080A006S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 60V 80A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M020A060N

GP2M020A060N

기술: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M011A050H

GP1M011A050H

기술: MOSFET N-CH 500V 11A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD080A015S1-D3

GSXD080A015S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 150V 80A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D030A060B

GP2D030A060B

기술: DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXF060A060S1-D3

GSXF060A060S1-D3

기술: DIODE FAST REC 600V 60A SOT22

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP3D050A060B

GP3D050A060B

기술: DIODE SCHOTTKY 600V 50A TO247-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXF060A100S1-D3

GSXF060A100S1-D3

기술: DIODE FAST REC 1000V 60A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHIS100A120S2B1

GHIS100A120S2B1

기술: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M012A060H

GP2M012A060H

기술: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M016A060F

GP1M016A060F

기술: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD160A015S1-D3

GSXD160A015S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 150V 320A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D020A120A

GP2D020A120A

기술: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품

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