기술: MOD THYRISTOR DUAL 16KV TO-240
기술: IGBT 600V 55A 200W TO268
기술: DIODE SCHOTTKY 180V 15A TO263AB
기술: IC DRIVER MOSF/IGBT 14A TO263-5
기술: MOSFET P-CH 150V 10A TO-252
기술: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB
기술: IGBT 1200V 70A 200W ISOPLUS247
기술: IC BREAKING RECTIFIER 2800V 1.5A
기술: MOSFET N-CH 150V 76A TO-220
기술: MOSFET N-CH 40V 270A
기술: MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264
기술: IGBT 300A 600V SOT-227B
기술: MOSFET N-CH 55V 220A TO-220
기술: MOSFET N-CH 300V 90A TO-264
기술: IGBT 600V 220A 830W TO247AD
기술: DIODE GEN PURP 200V 15A TO220AC
기술: MOSFET N-CH 650V 34A TO-247
기술: MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3
기술: IGBT 600V 70A 190W TO220
기술: MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P
기술: MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252
기술: MOD THYRISTOR/DIO 1600V TO-240AA
기술: MOSFET N-CH 150V 88A TO-268
기술: IGBT 1000V 8A 40W TO220AB
기술: IGBT 1200V 200A 830W PLUS247
기술: IGBT 1200V 75A 380W TO247
기술: MOSFET N-CH 500V 50A TO-264AA
기술: BREAKOVER DIODE
기술: MOD THYRISTOR DUAL 18KV TO-240
기술: MOSFET N-CH 150V 56A TO-3P
기술: DIODE SCHOTTKY 250V 12A TO263AB
기술: DIODE MODULE 1.2KV 28A SOT227B
기술: MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B
기술: IGBT 600V 75A 250W TO247AD
기술: IGBT 600V 40A 150W TO247AD
기술: BOARD EVALUATION IXDN430CI
기술: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263
기술: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247AD
기술: DIODE MODULE 1.2KV 260A Y4-M6
기술: MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 52A TO247AD
기술: IGBT 600V 24A 100W TO263AA
기술: MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
기술: DIODE GEN PURP 300V 30A TO247AD
기술: MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B
기술: MOD THYRISTOR/DIODE 1800V Y4-M6
기술: MOSFET N-CH
기술: MOSFET N-CH 100V 170A TO-247
기술: DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227B
기술: MOD THYRISTOR DUAL 1400V WC-500
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