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Winbond Electronics Corporation

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Winbond Electronics Corporation

소개

Winbond Electronics Corporation - Winbond Electronics Corporation은 전세계 고객에게 최고 품질의 메모리 솔루션을 제공하기 위해 설계, 제조 및 판매 서비스에 종사하는 메모리 IC 회사입니다. Winbond의 제품 라인에는 코드 스토리지 플래시 메모리, 직렬 및 병렬 NAND, 특수 DRAM 및 모바일 DRAM이 포함됩니다.
Winbond 제품은 컴퓨팅, 연결된 멀티미디어 장치, 자동차, 네트워킹 시스템 및 산업과 같은 IoT 수직 시장의 회사에서 널리 사용됩니다. Winbond는 수명이 긴 자동차 및 산업용 플러스 등급 플래시 및 DRAM 제품을 제공합니다. Winbond는 대만 타이 중 본사에 12 인치 FAB를 포함하여 전 세계적으로 약 2,200 명의 직원을 보유하고 있습니다.

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W631GU8KB11I

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기술: IC SDRAM 1GBIT 78BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W632GG8KB-11

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q80BVZPIG TR

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기술: IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q256JVCIQ

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기술: IC FLASH 256M SPI 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W632GG6KB-18

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q256FVEJQ

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기술: IC FLASH MEMORY 256MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q32FVZPIQ

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기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25P40VSNIG T&R

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기술: IC FLASH 4M SPI 40MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W948D6DBHX6E

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기술: IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q64CVZEJG TR

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기술: IC FLASH MEMORY 64MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q80EWUXIE TR

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기술: IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8USON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9464G6KH-4 TR

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W948D6FBHX6E

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q32FVTCJF TR

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기술: IC FLASH MEMORY 32MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W632GU8MB15I

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9812G6IH-6

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기술: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W29GL128CH9B

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기술: IC FLASH 128M PARALLEL 64LFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9816G6JB-6I

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기술: IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W29GL512PL9T TR

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기술: IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W631GG8KB-15

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W631GG8KB12I TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W631GU6KS-12

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기술: IC SDRAM 1GBIT 96BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W972GG8JB-25

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q64FVZPIQ

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기술: IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q32BVSSJP TR

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기술: IC FLASH MEMORY 32MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W632GG6MB-15

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q32FWBYIQ TR

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기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 12WLCSP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W29GL256SH9B

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기술: IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25P16VSSIG T&R

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기술: IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25P16VSSIG

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기술: IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W631GG8MB15I

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기술: IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q128FVEJQ TR

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기술: IC FLASH MEMORY 128MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W29GL032CB7S

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기술: IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9751G6KB-18

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q128FWEIG

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기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q32FVZPJQ TR

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기술: IC FLASH MEMORY 32MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q128FVEIQ

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기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9825G6EH-6

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q40BWZPIG TR

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기술: IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q64FVZEJQ

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기술: IC FLASH MEMORY 64MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
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W25Q256FVFJQ

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기술: IC FLASH MEMORY 256MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W632GU8MB-12 TR

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9864G6JT-6

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q256FVFIP TR

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기술: IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W29GL256PL9B TR

W29GL256PL9B TR

기술: IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9864G2JB-6I

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
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W25Q128JVPIM TR

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기술: IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W948D2FBJX5E TR

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
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W25X32VSSIG

W25X32VSSIG

기술: IC FLASH 32M SPI 75MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25Q128BVEJG TR

W25Q128BVEJG TR

기술: IC FLASH MEMORY 128MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
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