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Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

소개

Winbond Electronics Corporation - Winbond Electronics Corporation은 전세계 고객에게 최고 품질의 메모리 솔루션을 제공하기 위해 설계, 제조 및 판매 서비스에 종사하는 메모리 IC 회사입니다. Winbond의 제품 라인에는 코드 스토리지 플래시 메모리, 직렬 및 병렬 NAND, 특수 DRAM 및 모바일 DRAM이 포함됩니다.
Winbond 제품은 컴퓨팅, 연결된 멀티미디어 장치, 자동차, 네트워킹 시스템 및 산업과 같은 IoT 수직 시장의 회사에서 널리 사용됩니다. Winbond는 수명이 긴 자동차 및 산업용 플러스 등급 플래시 및 DRAM 제품을 제공합니다. Winbond는 대만 타이 중 본사에 12 인치 FAB를 포함하여 전 세계적으로 약 2,200 명의 직원을 보유하고 있습니다.

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범주
1
제품 센터
1,275

통합 회로 (ICS)

W631GU8KB-15 TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVPIF

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기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q64FVTBIG

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기술: IC FLASH 64M SPI 104MHZ 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GG6KB-15

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GG8KB-12 TR

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16DVSNJG TR

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기술: IC FLASH MEMORY 16MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25P10VSNIG T&R

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기술: IC FLASH 1M SPI 40MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16DVSSJP

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기술: IC FLASH MEMORY 16MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVSIG TR

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기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W971GG6KB-25

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W29GL512PL9B

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기술: IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32DWZEIG TR

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기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GG8MB-15

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기술: IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GU8MB15I TR

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W29N02GWBIBA

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기술: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q64JVSFIM

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기술: IC FLASH 64M SPI 133MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q80BVDAIG

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기술: IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8DIP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W987D6HBGX6I TR

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기술: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16CVSSIG TR

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기술: IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W97BH2KBQX2I

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FWFIG TR

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기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25X10VZPIG

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기술: IC FLASH 1M SPI 75MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9812G2KB-6

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기술: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVFIF

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기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GG6KB12I TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W972GG6JB-25

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32FVSSJQ

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기술: IC FLASH MEMORY 32MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25X10AVSNIG

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기술: IC FLASH 1M SPI 100MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W948D6KBHX5I

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기술: IC SDRAM 256MBIT 46NM 60BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9712G6KB25I TR

W9712G6KB25I TR

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GU8MB15I

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기술: IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16CVSNJP TR

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기술: IC FLASH MEMORY 16MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVSIG

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기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVEIF

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기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32BVZPJG TR

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기술: IC FLASH MEMORY 32MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GU6AB-11

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25X40AVSNIG

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기술: IC FLASH 4M SPI 100MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128JVEIM

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기술: IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16CVSNJG

W25Q16CVSNJG

기술: IC FLASH MEMORY 16MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W949D6DBHX5I TR

W949D6DBHX5I TR

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVCIG TR

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기술: IC FLASH 128M SPI 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9864G2JH-6 TR

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25X32VZEIG

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기술: IC FLASH 32M SPI 75MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q80JVSSIQ TR

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기술: IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W971GG6KB-18 TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W988D6FBGX6E

W988D6FBGX6E

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128BVBJG TR

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기술: IC FLASH MEMORY 128MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25X10BVSNIG

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기술: IC FLASH 1M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GG6KB12J

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GU6KB12J

W632GU6KB12J

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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