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Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

소개

Winbond Electronics Corporation - Winbond Electronics Corporation은 전세계 고객에게 최고 품질의 메모리 솔루션을 제공하기 위해 설계, 제조 및 판매 서비스에 종사하는 메모리 IC 회사입니다. Winbond의 제품 라인에는 코드 스토리지 플래시 메모리, 직렬 및 병렬 NAND, 특수 DRAM 및 모바일 DRAM이 포함됩니다.
Winbond 제품은 컴퓨팅, 연결된 멀티미디어 장치, 자동차, 네트워킹 시스템 및 산업과 같은 IoT 수직 시장의 회사에서 널리 사용됩니다. Winbond는 수명이 긴 자동차 및 산업용 플러스 등급 플래시 및 DRAM 제품을 제공합니다. Winbond는 대만 타이 중 본사에 12 인치 FAB를 포함하여 전 세계적으로 약 2,200 명의 직원을 보유하고 있습니다.

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범주
1
제품 센터
1,275

집적회로 (ic)

W25M512JVFIQ TR

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기술: IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128JVCIM TR

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기술: IC FLASH 128M SPI 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32BVSFIG

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기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q256FVBIG TR

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기술: IC FLASH 256M SPI 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W949D6DBHX5E

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32FWZPIQ TR

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기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W978H6KBVX2I

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q256FVFIF

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기술: IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25X16AVDAIZ

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기술: IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8DIP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W948D6FBHX5G

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기술: IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVFIQ TR

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기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9864G6JB-6

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W29GL064CH7T

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기술: IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q20EWSNIG

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기술: IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q64CVZEJG

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기술: IC FLASH MEMORY 64MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25X10VSNIG

W25X10VSNIG

기술: IC FLASH 1M SPI 75MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q257JVFIQ TR

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기술: IC FLASH 256MBIT 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q80BWZPIG

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기술: IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25X32VSSIG T&R

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기술: IC FLASH 32M SPI 75MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GU8MB-15

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q64FWBYIG TR

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기술: IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16WLCSP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GU8KB-15

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W97AH6KBVX2I TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32JVDAIQ TR

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기술: IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8DIP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q256FVFIF TR

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기술: IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q80BVZPIG

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기술: IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128BVEJP TR

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기술: IC FLASH MEMORY 128MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GU6MB12I

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W972GG6JB-18 TR

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q64FVSSJQ TR

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기술: IC FLASH MEMORY 64MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25M512JVFIQ

W25M512JVFIQ

기술: IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVFJP TR

W25Q128FVFJP TR

기술: IC FLASH MEMORY 128MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q40EWSNIG

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기술: IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25M512JVBIQ

W25M512JVBIQ

기술: IC FLASH 512M SPI 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9425G6JB-5 TR

W9425G6JB-5 TR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W29N04GVBIAF

W29N04GVBIAF

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W94AD2KBJX5I TR

W94AD2KBJX5I TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GU8MB15I TR

W631GU8MB15I TR

기술: IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25P16VSFIG

W25P16VSFIG

기술: IC FLASH 16M SPI 50MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVSIQ

W25Q128FVSIQ

기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVPJP

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기술: IC FLASH MEMORY 128MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GG8MB-12 TR

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 78VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32FWSSIQ TR

W25Q32FWSSIQ TR

기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVFIG

W25Q128FVFIG

기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GG8KB-11

W631GG8KB-11

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GG6MB12J

W631GG6MB12J

기술: IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9812G6KH-6I

W9812G6KH-6I

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W98AD2KBJX6I TR

W98AD2KBJX6I TR

기술: 1GB MSDR X32 166MHZ IND

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVPIG

W25Q128FVPIG

기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32BVSSJG TR

W25Q32BVSSJG TR

기술: IC FLASH MEMORY 32MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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