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Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

소개

Winbond Electronics Corporation - Winbond Electronics Corporation은 전세계 고객에게 최고 품질의 메모리 솔루션을 제공하기 위해 설계, 제조 및 판매 서비스에 종사하는 메모리 IC 회사입니다. Winbond의 제품 라인에는 코드 스토리지 플래시 메모리, 직렬 및 병렬 NAND, 특수 DRAM 및 모바일 DRAM이 포함됩니다.
Winbond 제품은 컴퓨팅, 연결된 멀티미디어 장치, 자동차, 네트워킹 시스템 및 산업과 같은 IoT 수직 시장의 회사에서 널리 사용됩니다. Winbond는 수명이 긴 자동차 및 산업용 플러스 등급 플래시 및 DRAM 제품을 제공합니다. Winbond는 대만 타이 중 본사에 12 인치 FAB를 포함하여 전 세계적으로 약 2,200 명의 직원을 보유하고 있습니다.

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범주
1
제품 센터
1,275

집적회로 (ic)

W94AD6KBHX5E

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GG8KB12I

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W972GG6JB-3

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W972GG8JB-25 TR

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32FWZEIG TR

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기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q256JVEIM TR

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기술: IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W19B320ATT7H

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기술: IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W29GL512SH9B TR

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기술: IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128BVFJG TR

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기술: IC FLASH MEMORY 128MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W29GL032CT7A

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기술: IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q256FVFJF TR

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기술: IC FLASH MEMORY 256MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32FVZPIQ TR

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기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W29GL512PH9T TR

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기술: IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GG6KB-11 TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W29N04GVSIAA

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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W972GG8JB-3

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16DWSNIG

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기술: IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32FWZPIQ

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기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q80JVSVIQ TR

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기술: IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8VSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q80DVZPIG TR

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기술: IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9825G6JB-6

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W29GL256SH9B TR

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기술: IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q256FVCIP TR

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기술: IC FLASH 256M SPI 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q64FVSS00

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기술: IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q40CLZPIG

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기술: IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GU8KB-12 TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q256FVFIG TR

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기술: IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W29GL256SL9T

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기술: IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9464G6JH-4

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GG8MB-15 TR

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기술: IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GU6KB-12

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W972GG6JB-3 TR

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GG8MB-11 TR

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기술: IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GG6MB-11

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기술: IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16DWSSIG TR

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기술: IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W29GL256PH9T TR

W29GL256PH9T TR

기술: IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9712G6KB25I

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기술: IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W947D2HBJX5E

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기술: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W987D6HBGX6E TR

W987D6HBGX6E TR

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q64FWZPIG TR

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기술: IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9812G6JH-6I

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기술: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q80BWZPIG TR

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기술: IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W979H2KBVX2I

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVSJQ TR

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기술: IC FLASH MEMORY 128MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16FWUXIE TR

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기술: IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8USON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q40BWSNIG TR

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기술: IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W97AH2KBQX2I

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25X40AVSSIG

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기술: IC FLASH 4M SPI 100MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16JVSNIQ TR

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기술: IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W25Q16CVSSJP TR

W25Q16CVSSJP TR

기술: IC FLASH MEMORY 16MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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