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Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

소개

Winbond Electronics Corporation - Winbond Electronics Corporation은 전세계 고객에게 최고 품질의 메모리 솔루션을 제공하기 위해 설계, 제조 및 판매 서비스에 종사하는 메모리 IC 회사입니다. Winbond의 제품 라인에는 코드 스토리지 플래시 메모리, 직렬 및 병렬 NAND, 특수 DRAM 및 모바일 DRAM이 포함됩니다.
Winbond 제품은 컴퓨팅, 연결된 멀티미디어 장치, 자동차, 네트워킹 시스템 및 산업과 같은 IoT 수직 시장의 회사에서 널리 사용됩니다. Winbond는 수명이 긴 자동차 및 산업용 플러스 등급 플래시 및 DRAM 제품을 제공합니다. Winbond는 대만 타이 중 본사에 12 인치 FAB를 포함하여 전 세계적으로 약 2,200 명의 직원을 보유하고 있습니다.

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범주
1
제품 센터
1,275

집적회로 (ic)

W94AD6KBHX5I TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q64CVTBIG

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기술: IC FLASH MEMORY 64MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GG6MB-15

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기술: IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32FWZEIG

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기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVTIQ

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기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8VSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W29GL256PH9T

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기술: IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W29N01GWDIBA

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기술: IC FLASH 1G PARALLEL 48VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25X20CLSNIG TR

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기술: IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W98AD2KBJX6I

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기술: IC MEMORY SDRAM 1GB 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W19B320ATB7H

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기술: IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q257FVFIQ

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기술: IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25X32VSFIG T&R

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기술: IC FLASH 32M SPI 75MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q80DVSSIG TR

W25Q80DVSSIG TR

기술: IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q256FVCJQ TR

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기술: IC FLASH MEMORY 256MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q64DWZEIG

W25Q64DWZEIG

기술: IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16DVSFIG TR

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기술: IC FLASH 16M SPI 104MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W29GL256PH9B TR

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기술: IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32JVXGIQ TR

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기술: IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8XSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128BVEJP

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기술: IC FLASH MEMORY 128MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128BVFJG

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기술: IC FLASH MEMORY 128MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W978H6KBQX2I

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25P80VSSIG

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기술: IC FLASH 8M SPI 50MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32FVSFJQ TR

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기술: IC FLASH MEMORY 32MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GG6KB-15 TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16DVSSIQ

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기술: IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W97BH6KBQX2I

W97BH6KBQX2I

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVSIF

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기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q80JVSNIQ

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기술: IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q256JVBIM

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기술: IC FLASH 256M SPI 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9816G6JH-5

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기술: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W966D6HBGX7I

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기술: IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25X10CLSNIG

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기술: IC FLASH 1M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q80BWSVIG

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기술: IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8VSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W29GL128CH9T TR

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기술: IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q40BWSSIG TR

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기술: IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q40CLSSIG

W25Q40CLSSIG

기술: IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVFJQ

W25Q128FVFJQ

기술: IC FLASH MEMORY 128MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25P40VSNIG

W25P40VSNIG

기술: IC FLASH 4M SPI 40MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9816G6JB-6I TR

W9816G6JB-6I TR

기술: IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W29GL512PL9B TR

W29GL512PL9B TR

기술: IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25N01GVZEIT TR

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기술: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q64CVTBIP

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기술: IC FLASH MEMORY 64MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GU6MB15I TR

W631GU6MB15I TR

기술: IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16DVUUJP

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기술: IC FLASH MEMORY 16MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W97AH6KBVX2E

W97AH6KBVX2E

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32FVSSIP

W25Q32FVSSIP

기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W948D6FBHX5I TR

W948D6FBHX5I TR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25X80VSFIG T&R

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기술: IC FLASH 8M SPI 75MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W29N02GZBIBA

W29N02GZBIBA

기술: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W29N01HVDINA

W29N01HVDINA

기술: IC FLASH 1G PARALLEL 48VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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