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Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

소개

Winbond Electronics Corporation - Winbond Electronics Corporation은 전세계 고객에게 최고 품질의 메모리 솔루션을 제공하기 위해 설계, 제조 및 판매 서비스에 종사하는 메모리 IC 회사입니다. Winbond의 제품 라인에는 코드 스토리지 플래시 메모리, 직렬 및 병렬 NAND, 특수 DRAM 및 모바일 DRAM이 포함됩니다.
Winbond 제품은 컴퓨팅, 연결된 멀티미디어 장치, 자동차, 네트워킹 시스템 및 산업과 같은 IoT 수직 시장의 회사에서 널리 사용됩니다. Winbond는 수명이 긴 자동차 및 산업용 플러스 등급 플래시 및 DRAM 제품을 제공합니다. Winbond는 대만 타이 중 본사에 12 인치 FAB를 포함하여 전 세계적으로 약 2,200 명의 직원을 보유하고 있습니다.

관련 뉴스

범주
1
제품 센터
1,275

통합 회로 (ICS)

W9816G6IH-6

W9816G6IH-6

기술: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16DVSNJP TR

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기술: IC FLASH MEMORY 16MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVEIQ TR

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기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q80JVZPIQ

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기술: IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q256JVEIQ TR

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기술: IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GG8KB-12 TR

W631GG8KB-12 TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16DVZPIQ

W25Q16DVZPIQ

기술: IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q80BLSNIG TR

W25Q80BLSNIG TR

기술: IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GG8AB-15

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32FVTCIG TR

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기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W29GL064CB7S

W29GL064CB7S

기술: IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GG6AB-15

W632GG6AB-15

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32FVDAIG

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기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8DIP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GG6MB-09

W632GG6MB-09

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FWSIG

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기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q256JVBIQ TR

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기술: IC FLASH 256M SPI 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16DVSNJP

W25Q16DVSNJP

기술: IC FLASH MEMORY 16MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25X40CLDAIG TR

W25X40CLDAIG TR

기술: IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8DIP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q64JVSSIM

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기술: IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GG6KB15J

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기술: IC SDRAM 1GBIT 96BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q80DVSVIG TR

W25Q80DVSVIG TR

기술: IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8VSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FWSIG TR

W25Q128FWSIG TR

기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W29GL256SL9T TR

W29GL256SL9T TR

기술: IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GG6MB-15 TR

W632GG6MB-15 TR

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GU8AB-12

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q64CVSSJP

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기술: IC FLASH MEMORY 64MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVAIQ TR

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기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8DIP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GU8KB-12

W631GU8KB-12

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GG6KB15J

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W948D2FBJX5I TR

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q256FVFIQ TR

W25Q256FVFIQ TR

기술: IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W29GL032CL7T

W29GL032CL7T

기술: IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W97AH6KBQX2I

W97AH6KBQX2I

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32FVDAIQ

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기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8DIP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GU8KB-12

W632GU8KB-12

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GU6KB15I

W632GU6KB15I

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q80EWSVIG

W25Q80EWSVIG

기술: IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8VSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q64FVSFIQ

W25Q64FVSFIQ

기술: IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q40BWZPIG

W25Q40BWZPIG

기술: IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W29GL512PL9T

W29GL512PL9T

기술: IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9864G6KH-6I

W9864G6KH-6I

기술: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16DVZPJG TR

W25Q16DVZPJG TR

기술: IC FLASH MEMORY 16MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GU6KB-12

W631GU6KB-12

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32DWSFIG

W25Q32DWSFIG

기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9464G6KH-4

W9464G6KH-4

기술: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GG6KS-12

W631GG6KS-12

기술: IC SDRAM 1GBIT 96BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q64FVSCA2

W25Q64FVSCA2

기술: IC FLASH 64M SPI 104MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9864G6IH-6

W9864G6IH-6

기술: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32FWBYIC TR

W25Q32FWBYIC TR

기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 12WLCSP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32FVSSIQ TR

W25Q32FVSSIQ TR

기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품

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