Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > 1HP04CH-TL-W
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
62962661HP04CH-TL-W 이미지AMI Semiconductor / ON Semiconductor

1HP04CH-TL-W

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
3000+
$0.214
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    1HP04CH-TL-W
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET P-CH 100V 0.17A SOT-23
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.6V @ 100µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    3-CPH
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    18 Ohm @ 80mA, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 다른 이름들
    1HP04CH-TL-W-ND
    1HP04CH-TL-WOSTR
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    14 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    14pF @ 20V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    0.9nC @ 10V
  • FET 유형
    P-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    100V
  • 상세 설명
    P-Channel 100V 170mA (Ta) Surface Mount 3-CPH
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    170mA (Ta)
IPD031N03LGBTMA1

IPD031N03LGBTMA1

기술: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
BUK9Y38-100E,115

BUK9Y38-100E,115

기술: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK

제조업체: Nexperia
유품
IRFH8325TRPBF

IRFH8325TRPBF

기술: MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
NDS355AN

NDS355AN

기술: MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
IPT012N06NATMA1

IPT012N06NATMA1

기술: MOSFET N-CH 60V 240A HSOF-8

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
PH4530AL,115

PH4530AL,115

기술: MOSFET N-CH 30V LFPAK

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
SI8404DB-T1-E1

SI8404DB-T1-E1

기술: MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
FQI2NA90TU

FQI2NA90TU

기술: MOSFET N-CH 900V 2.8A I2PAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
APT60M75L2LLG

APT60M75L2LLG

기술: MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX

제조업체: Microsemi
유품
NTR4101PT1H

NTR4101PT1H

기술: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
DMT6015LFV-7

DMT6015LFV-7

기술: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
SQJ414EP-T1_GE3

SQJ414EP-T1_GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 30A POWERPAKSOL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
FDWS9508L_F085

FDWS9508L_F085

기술: MOSFET P-CH PWR TRENCH PT8-40V

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
STP30N10F7

STP30N10F7

기술: MOSFET N-CH 100V 32A TO220AB

제조업체: STMicroelectronics
유품
IXFK38N80Q2

IXFK38N80Q2

기술: MOSFET N-CH 800V 38A TO-264

제조업체: IXYS Corporation
유품
IRFR4105Z

IRFR4105Z

기술: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
PHD78NQ03LT,118

PHD78NQ03LT,118

기술: MOSFET N-CH 25V 75A DPAK

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
FDP5N60NZ

FDP5N60NZ

기술: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220-3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
MMDF3N02HDR2G

MMDF3N02HDR2G

기술: MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
IPI60R280C6XKSA1

IPI60R280C6XKSA1

기술: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오