2SB1205T-E

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제품 모델

2SB1205T-E
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

TRANS PNP 20V 5A TP
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

2SB1205T-E.pdf
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)

20V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)

500mV @ 60mA, 3A
트랜지스터 유형

PNP
제조업체 장치 패키지

TP
연속

-
전력 - 최대

1W
포장

Bulk
패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
작동 온도

150°C (TJ)
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

2 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환

320MHz
상세 설명

Bipolar (BJT) Transistor PNP 20V 5A 320MHz 1W Through Hole TP
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가

200 @ 500mA, 2V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)

500nA (ICBO)
전류 - 콜렉터 (IC) (최대)

5A
기본 부품 번호

2SB1205

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