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  • 제품 모델
    2SD1816S-H
  • 제조업체 / 브랜드
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS NPN 100V 4A TP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    2SD1816S-H.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    100V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    400mV @ 200mA, 2A
  • 트랜지스터 유형
    NPN
  • 제조업체 장치 패키지
    TP
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    1W
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    2 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 주파수 - 전환
    180MHz
  • 상세 설명
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 4A 180MHz 1W Through Hole TP
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    140 @ 500mA, 5V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    1µA (ICBO)
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    4A
  • 기본 부품 번호
    2SD1816

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