3LP01C-TB-E

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제품 모델

3LP01C-TB-E
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

MOSFET P-CH 30V 100MA CP
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

3LP01C-TB-E.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

-
Vgs (최대)

±10V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

3-CP
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

10.4 Ohm @ 50mA, 4V
전력 소비 (최대)

250mW (Ta)
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
작동 온도

150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7.5pF @ 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

1.43nC @ 10V
FET 유형

P-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

30V
상세 설명

P-Channel 30V 100mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount 3-CP
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA (Ta)

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