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43091355GN01MA-TL-E 이미지AMI Semiconductor / ON Semiconductor

55GN01MA-TL-E

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유품
3000+
$0.085
6000+
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30000+
$0.063
75000+
$0.056
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규격
  • 제품 모델
    55GN01MA-TL-E
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS NPN BIPO 70MA 10V MCP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    10V
  • 트랜지스터 유형
    NPN
  • 제조업체 장치 패키지
    3-MCP
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    400mW
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SC-70, SOT-323
  • 다른 이름들
    55GN01MA-TL-E-ND
    55GN01MA-TL-EOSTR
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 잡음 지수 (f에서 dB Typ)
    1.9dB @ 1GHz
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    8 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 이득
    10dB @ 1GHz
  • 주파수 - 전환
    4.5GHz ~ 5.5GHz
  • 상세 설명
    RF Transistor NPN 10V 70mA 4.5GHz ~ 5.5GHz 400mW Surface Mount 3-MCP
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    100 @ 10mA, 5V
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    70mA
55GFMNJD175E

55GFMNJD175E

기술: FUSE 5.5KV 175E DIN E RATE SQD

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
55GN01FA-TL-H

55GN01FA-TL-H

기술: TRANS NPN BIPO 70MA 10V SSFP

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
55GDMSJD50E

55GDMSJD50E

기술: FUSE 5.5KV 50E DIN E RATE SQD

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
55GFMSJ250ES

55GFMSJ250ES

기술: FUSE 5.5KV 250E DIN E RATE SIEME

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
55GFMNJD350E

55GFMNJD350E

기술: FUSE 5.5KV 350E DIN E RATED

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
55GFMSJ175ES

55GFMSJ175ES

기술: FUSE 5.5KV 175E DIN E RATE SIEME

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
55GFMNJD150E

55GFMNJD150E

기술: FUSE 5.5KV 150E DIN E RATE SQD

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
55GDMSJD65E

55GDMSJD65E

기술: FUSE 5.5KV 65E DIN E RATE

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
55GFMNJD450E

55GFMNJD450E

기술: FUSE 5.5KV 450E DIN E RATE SQD

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
55GDMSJD40E

55GDMSJD40E

기술: FUSE 5.5KV 40E DIN E RATE SQD

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
55GFMNJD300E

55GFMNJD300E

기술: FUSE 5.5KV 300E DIN E RATED

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
55GFMNJD250E

55GFMNJD250E

기술: FUSE 5.5KV 250E DIN E RATED

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
55GFMNJD200E

55GFMNJD200E

기술: FUSE 5.5KV 200E DIN E RATE SQD

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
55GDMSJD80E

55GDMSJD80E

기술: FUSE 5.5KV 80E DIN E RATED SQD

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
55GDMSJD25E

55GDMSJD25E

기술: FUSE 5.5KV 25E DIN E RATE SQD

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
55GN01CA-TB-E

55GN01CA-TB-E

기술: TRANS NPN BIPOLAR 10V 70MA CP

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
55GDMSJD30E

55GDMSJD30E

기술: FUSE 5.5KV 30E DIN E RATE SQD

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
55GDMSJD20E

55GDMSJD20E

기술: FUSE 5.5KV 20E DIN E RATED SQD

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
55GFMSJ400ES

55GFMSJ400ES

기술: FUSE 5.5KV 400E DIN E RATE SIEME

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
55GFMSJ200ES

55GFMSJ200ES

기술: FUSE 5.5KV 200E DIN E RATE SIEME

제조업체: Bussmann (Eaton)
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