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2976522BVSS138LT1G 이미지AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BVSS138LT1G

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유품
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규격
  • 제품 모델
    BVSS138LT1G
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    1.5V @ 1mA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    SOT-23-3
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    3.5 Ohm @ 200mA, 5V
  • 전력 소비 (최대)
    225mW (Ta)
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 다른 이름들
    BVSS138LT1GOSCT
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    40 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    50pF @ 25V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    5V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    50V
  • 상세 설명
    N-Channel 50V 200mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    200mA (Ta)
SSM5G10TU(TE85L,F)

SSM5G10TU(TE85L,F)

기술: MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
TK20V60W5,LVQ

TK20V60W5,LVQ

기술: MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
STD90N4F3

STD90N4F3

기술: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
SIA814DJ-T1-GE3

SIA814DJ-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
PSMN2R6-60PSQ

PSMN2R6-60PSQ

기술: MOSFET N-CH 60V 150A TO-220

제조업체: Nexperia
유품
IPS090N03LGBKMA1

IPS090N03LGBKMA1

기술: MOSFET N-CHANNEL 30V 40A TO251-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IRL1404PBF

IRL1404PBF

기술: MOSFET N-CH 40V 160A TO-220AB

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
BVSD-2032-PC

BVSD-2032-PC

기술: VERT SNAP DRAGON CR2032 PC PIN

제조업체: MPD (Memory Protection Devices)
유품
BVSD-2032-SM

BVSD-2032-SM

기술: VERT SNAP DRAGON CR2032 SMT

제조업체: MPD (Memory Protection Devices)
유품
BUZ30AHXKSA1

BUZ30AHXKSA1

기술: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IRFD224PBF

IRFD224PBF

기술: MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
IPP03N03LB G

IPP03N03LB G

기술: MOSFET N-CH 30V 80A TO-220

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
TPCF8A01(TE85L)

TPCF8A01(TE85L)

기술: MOSFET N-CH 20V 3A VS-8

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
BVSS84LT1G

BVSS84LT1G

기술: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
BVSS123LT1G

BVSS123LT1G

기술: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
AOTF10N50FD_001

AOTF10N50FD_001

기술: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

제조업체: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
유품
IRF3314STRR

IRF3314STRR

기술: MOSFET N-CH 150V D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
NVMFS6B25NLWFT3G

NVMFS6B25NLWFT3G

기술: MOSFET N-CH 100V 8A 33A 5DFN

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
DN3765K4-G

DN3765K4-G

기술: MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK

제조업체: Micrel / Microchip Technology
유품
BVSD-2032-COVER

BVSD-2032-COVER

기술: COVER FOR VERT SNAP DRAGON HLDR

제조업체: MPD (Memory Protection Devices)
유품

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