기술: SPDT RLY RELEASE DELAY 12-24VDC
제조업체: Carlo Gavazzi
유품
기술: SPDT DELAY ON RELEASE TIMR 10S
제조업체: Carlo Gavazzi
유품
기술: BRIDGE RECT 1PHASE 1.2KV 2A DBL
제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
기술: DIODE BRIDGE 800V 15A GBPC-W
제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
기술: SPDT DELAY ON RELEASE TIMER
제조업체: Carlo Gavazzi
유품
기술: DPDT DELAY ON RELEASE TIMER
제조업체: Carlo Gavazzi
유품
기술: IC DGTL BSBND DOLPH CHIP 64LQFP
제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
기술: SPDT DELAY ON RELEASE TIMER
제조업체: Carlo Gavazzi
유품
기술: DPDT DELAY ON RELEASE TIMER
제조업체: Carlo Gavazzi
유품
기술: DIODE BRIDGE 1PH 0.8A 600V 4SMD
제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
기술: BACKSHELL DB25 BLACK PLASTIC
제조업체: Cannon
유품
기술: BRIDGE RECT 6A 800V GSIB-5S
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
기술: SPDT DELAY ON RELEASE TIMR 1M
제조업체: Carlo Gavazzi
유품
기술: IC DGTL BSBND DOLPH CHIP 64LQFP
제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
기술: RECT BRIDGE GPP 1000V 2A KBP
제조업체: Diodes Incorporated
유품
기술: DPDT RLY RELEASE DELAY 12-24VDC
제조업체: Carlo Gavazzi
유품
기술: IC DGTL BSBND DOLPH CHIP 64LQFP
제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
기술: IC DGTL BSBND DOLPH CHIP 64LQFP
제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
기술: SPDT DELAY ON RELEASE TIMR 10M
제조업체: Carlo Gavazzi
유품
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
