FCMT199N60

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규격

제품 모델

FCMT199N60
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

FCMT199N60.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

3.5V @ 250µA
Vgs (최대)

±20V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

Power88
연속

SuperFET® II
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

199 mOhm @ 10A, 10V
전력 소비 (최대)

208W (Tc)
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

4-PowerTSFN
다른 이름들

FCMT199N60TR
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

52 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2950pF @ 100V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

74nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

600V
상세 설명

N-Channel 600V 20.2A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount Power88
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20.2A (Tc)

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기술: IC CTLR DC MOTOR BLDC 80LQFP

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기술: AC/DC CONVERTER 15V 400W

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기술: AC/DC CONVERTER 28V 400W

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기술: IC MOTOR CTLR I2C/SPI 32LQFP

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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