Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > FCU3400N80Z
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
6533275FCU3400N80Z 이미지AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCU3400N80Z

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1+
$1.41
10+
$1.248
100+
$0.986
500+
$0.765
1000+
$0.604
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    FCU3400N80Z
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4.5V @ 200µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    I-PAK
  • 연속
    SuperFET® II
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    3.4 Ohm @ 1A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    32W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    400pF @ 100V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    9.6nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    800V
  • 상세 설명
    N-Channel 800V 2A (Tc) 32W (Tc) Through Hole I-PAK
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    2A (Tc)
IRF6668TR1

IRF6668TR1

기술: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
HUF76619D3S

HUF76619D3S

기술: MOSFET N-CH 100V 18A DPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
FCU4300N80Z

FCU4300N80Z

기술: MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
FCU600N65S3R0

FCU600N65S3R0

기술: SUPERFET3 650V IPAK PKG

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
STP8NS25FP

STP8NS25FP

기술: MOSFET N-CH 250V 8A TO-220FP

제조업체: STMicroelectronics
유품
NP80N04PLG-E1B-AY

NP80N04PLG-E1B-AY

기술: MOSFET N-CH 40V 80A TO-263

제조업체: Renesas Electronics America
유품
2N7002PM,315

2N7002PM,315

기술: MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-883

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
FDD6672A

FDD6672A

기술: MOSFET N-CH 30V 65A D-PAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
STFH10N60M2

STFH10N60M2

기술: MOSFET NCH 600V 7.5A TO220

제조업체: STMicroelectronics
유품
BUK753R1-40B,127

BUK753R1-40B,127

기술: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
FCU5N60TU

FCU5N60TU

기술: MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
FCU-7

FCU-7

기술: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
SIHB22N60S-E3

SIHB22N60S-E3

기술: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK

제조업체: Vishay Siliconix
유품
FCU-2

FCU-2

기술: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
FCUL0530-R47M=P3

FCUL0530-R47M=P3

기술: FIXED IND 470NH 16A 2.85 MOHM

제조업체: Murata Electronics
유품
FCU7N60TU

FCU7N60TU

기술: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
FCU360N65S3R0

FCU360N65S3R0

기술: MOSFET N-CH 600V IPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
FCU900N60Z

FCU900N60Z

기술: MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
FCU850N80Z

FCU850N80Z

기술: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
FCU2250N80Z

FCU2250N80Z

기술: MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오