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451084FDB0165N807L 이미지AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB0165N807L

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유품
1+
$7.16
10+
$6.393
100+
$5.242
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규격
  • 제품 모델
    FDB0165N807L
  • 제조업체 / 브랜드
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 80V 310A TO263
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    FDB0165N807L.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    D²PAK (TO-263)
  • 연속
    PowerTrench®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    1.6 mOhm @ 36A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    3.8W (Ta), 300W (Tc)
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • 다른 이름들
    FDB0165N807LCT
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    39 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    23660pF @ 40V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    304nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    80V
  • 상세 설명
    N-Channel 80V 310A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    310A (Tc)

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FDB0260N1007L

FDB0260N1007L

기술: MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FDB-1048

FDB-1048

기술: WAVELENGTH TUNING BOX

제조업체: Finisar Corporation
유품
RFQ
FDB029N06

FDB029N06

기술: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FDB024N04AL7

FDB024N04AL7

기술: MOSFET N-CH 40V D2PAK-7

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FDB-GP

FDB-GP

기술: CONN GUIDE PLATE

제조업체: Hirose
유품
RFQ
FDB-1052

FDB-1052

기술: EVAL BRD TUNABLE SFP+.

제조업체: Finisar Corporation
유품
RFQ
FDB-1053-10BK-EL

FDB-1053-10BK-EL

기술: 100G CFP2 BREAKOUT/LOOPBACK BRD

제조업체: Finisar Corporation
유품
RFQ
FDB-1047-S

FDB-1047-S

기술: BOARD EVAL ENDURANCE SOLDER

제조업체: Finisar Corporation
유품
RFQ
FDB0170N607L

FDB0170N607L

기술: MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FDB0300N1007L

FDB0300N1007L

기술: MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FDB0105N407L

FDB0105N407L

기술: MOSFET N-CH 40V 460A

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FDB-S

FDB-S

기술: CONN PRESSURE BLOOK FOR SKT

제조업체: Hirose
유품
RFQ
FDB024N06

FDB024N06

기술: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FDB0250N807L

FDB0250N807L

기술: MOSFET N-CH 80V 240A D2PAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FDB016N04AL7

FDB016N04AL7

기술: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FDB0190N807L

FDB0190N807L

기술: MOSFET N-CH 80V 270A D2PAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FDB-1054-4BK

FDB-1054-4BK

기술: 100G CFP4 BREAKOUT BRD W/O CBL

제조업체: Finisar Corporation
유품
RFQ
FDB-1051

FDB-1051

기술: EVAL BOARD FOR QSFP

제조업체: Finisar Corporation
유품
RFQ
FDB024N08BL7

FDB024N08BL7

기술: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FDB-P

FDB-P

기술: CONN PRESSURE BLOOK FOR PLUG

제조업체: Hirose
유품
RFQ
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