FDB8896

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규격

제품 모델

FDB8896
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

FDB8896.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

2.5V @ 250µA
Vgs (최대)

±20V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

TO-263AB
연속

PowerTrench®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

5.7 mOhm @ 35A, 10V
전력 소비 (최대)

80W (Tc)
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
다른 이름들

FDB8896-ND
FDB8896TR
작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

12 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2525pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

67nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

30V
상세 설명

N-Channel 30V 19A (Ta), 93A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-263AB
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A (Ta), 93A (Tc)

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기술: MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB

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기술: MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB

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기술: MOSFET N-CH 40V

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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기술: MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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기술: MOSFET N-CH 40V 80A TO-263

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기술: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

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