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4667975FDC2612_F095 이미지AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDC2612_F095

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  • 제품 모델
    FDC2612_F095
  • 제조업체 / 브랜드
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    FDC2612_F095.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    SuperSOT™-6
  • 연속
    PowerTrench®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    725 mOhm @ 1.1A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    1.6W (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    234pF @ 100V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    11nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    200V
  • 상세 설명
    N-Channel 200V 1.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    1.1A (Ta)

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FDC2512_F095

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FDC2XSRAA19H132X

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FDC3601N

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FDC3512_F095

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제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
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FDC3612

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기술: MOSFET N-CH 100V 2.6A SSOT-6

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
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FDC2612

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FDC2214RGHR

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제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
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FDC3512

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FDC30N20DZ

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FDC3535

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기술: MOSFET P-CH 80V 6-SSOT

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FDC2214QRGHRQ1

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제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
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FDC2XPTAM39S181A ND

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제조업체: Conec
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RFQ
FDC2214QRGHTQ1

FDC2214QRGHTQ1

기술: CAPACITANCE TO DIGITAL CONVERTER

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
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