FDD3N50NZTM

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규격

제품 모델

FDD3N50NZTM
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 500V DPAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

FDD3N50NZTM.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

5V @ 250µA
Vgs (최대)

±25V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

D-Pak
연속

UniFET-II™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

2.5 Ohm @ 1.25A, 10V
전력 소비 (최대)

40W (Tc)
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
다른 이름들

FDD3N50NZTM-ND
FDD3N50NZTMTR
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

30 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

280pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

500V
상세 설명

N-Channel 500V 2.5A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A (Tc)

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