FDD8426H

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제품 모델

FDD8426H
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

MOSFET N/P-CH 40V 12A/10A DPAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

FDD8426H.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

3V @ 250µA
제조업체 장치 패키지

TO-252-4L
연속

PowerTrench®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

12 mOhm @ 12A, 10V
전력 - 최대

1.3W
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2735pF @ 20V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

53nC @ 10V
FET 유형

N and P-Channel
FET 특징

Logic Level Gate
소스 전압에 드레인 (Vdss)

40V
상세 설명

Mosfet Array N and P-Channel 40V 12A, 10A 1.3W Surface Mount TO-252-4L
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A, 10A

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