FDFME3N311ZT

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제품 모델

FDFME3N311ZT
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

FDFME3N311ZT.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

1.5V @ 250µA
Vgs (최대)

±12V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

6-MicroFET (1.6x1.6)
연속

PowerTrench®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

299 mOhm @ 1.6A, 4.5V
전력 소비 (최대)

1.4W (Ta)
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

6-UFDFN Exposed Pad
다른 이름들

FDFME3N311ZT-ND
FDFME3N311ZTTR
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

75pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

1.4nC @ 4.5V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

Schottky Diode (Isolated)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

30V
상세 설명

N-Channel 30V 1.8A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.8A (Ta)

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