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FDMC007N08LC

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제품 모델

FDMC007N08LC
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
무연 여부 / RoHS 준수 여부
사양서

FDMC007N08LC.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

2.5V @ 120µA
Vgs (최대)

±20V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

8-PQFN (3.3x3.3), Power33
연속

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

7 mOhm @ 21A, 10V
전력 소비 (최대)

57W (Tc)
패키지 / 케이스

8-PowerWDFN
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

34 Weeks
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2940pF @ 40V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

41nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

80V
상세 설명

N-Channel 80V 66A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

66A (Tc)

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기술: MOSFET P-CH

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기술: PTNG 80/20V IN 3X3CLIP

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기술: MOSFET N-CH 55V 2.4A MLP

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