FDMD8530

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제품 모델

FDMD8530
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

MOSFET 2N-CH 30V 35A
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

FDMD8530.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

3V @ 250µA
제조업체 장치 패키지

Power56
연속

PowerTrench®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

1.25 mOhm @ 35A, 10V
전력 - 최대

2.2W
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

8-PowerWDFN
다른 이름들

FDMD8530-ND
FDMD8530TR
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

15 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10395pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

149nC @ 10V
FET 유형

2 N-Channel (Dual)
FET 특징

Standard
소스 전압에 드레인 (Vdss)

30V
상세 설명

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 35A 2.2W Surface Mount Power56
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

35A

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