FDN358P

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제품 모델

FDN358P
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

1.FDN358P.pdf
2.FDN358P.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

3V @ 250µA
Vgs (최대)

±20V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

SuperSOT-3
연속

PowerTrench®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

125 mOhm @ 1.5A, 10V
전력 소비 (최대)

500mW (Ta)
포장

Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
다른 이름들

FDN358PCT
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

42 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

182pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

5.6nC @ 10V
FET 유형

P-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

30V
상세 설명

P-Channel 30V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A (Ta)

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