FDS86140

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규격

제품 모델

FDS86140
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

FDS86140.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

4V @ 250µA
Vgs (최대)

±20V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

8-SO
연속

PowerTrench®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

9.8 mOhm @ 11.2A, 10V
전력 소비 (최대)

2.5W (Ta), 5W (Tc)
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
다른 이름들

FDS86140-ND
FDS86140TR
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

29 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2580pF @ 50V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

41nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

100V
상세 설명

N-Channel 100V 11.2A (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11.2A (Ta)

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