FDS8958B_G

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제품 모델

FDS8958B_G
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
아이디 @ VGS (일) (최대)

3V @ 250µA
제조업체 장치 패키지

8-SO
연속

PowerTrench®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

26 mOhm @ 6.4A, 10V, 51 mOhm @ 4.5A, 10V
전력 - 최대

900mW
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

540pF @ 15V, 760pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

5.8nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
FET 유형

N and P-Channel
FET 특징

Standard
소스 전압에 드레인 (Vdss)

30V
상세 설명

Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.4A, 4.5A 900mW Surface Mount 8-SO
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.4A, 4.5A

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