Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > FDV302P-NB8V001
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
3644183

FDV302P-NB8V001

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1+
$0.58
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    FDV302P-NB8V001
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    -8V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    SOT-23
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    10 Ohm @ 200mA, 4.5V
  • 전력 소비 (최대)
    350mW (Ta)
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 다른 이름들
    FDV302P-NB8V001CT
    FDV302P_NB8V001CT
    FDV302P_NB8V001CT-ND
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    11pF @ 10V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    0.31nC @ 4.5V
  • FET 유형
    P-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    2.7V, 4.5V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    25V
  • 상세 설명
    P-Channel 25V 120mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    120mA (Ta)
FDVE1040-H-4R7M=P3

FDVE1040-H-4R7M=P3

기술: FIXED IND 4.7UH 8A 13.8MOHM SMD

제조업체: Murata Electronics
유품
FDV0530-H-2R2M=P3

FDV0530-H-2R2M=P3

기술: FIXED IND 2.2UH 6A 19.9MOHM SMD

제조업체: Murata Electronics
유품
FDV14-250Q

FDV14-250Q

기술: FEMALE DISCONNECT VINYL 1=1PC

제조업체: 3M
유품
FDV301N-NB9V005

FDV301N-NB9V005

기술: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
FDV305N

FDV305N

기술: MOSFET N-CH 20V 0.9A SOT-23

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
FDVE1040-H-3R3M=P3

FDVE1040-H-3R3M=P3

기술: FIXED IND 3.3UH 9A 10.1MOHM SMD

제조업체: Murata Electronics
유품
FDV304P_NB8U003

FDV304P_NB8U003

기술: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
FDV304P

FDV304P

기술: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
FDV045P20L

FDV045P20L

기술: MOSFET P-CH 20V 1.15A SOT23

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
FDV303N_NB9U008

FDV303N_NB9U008

기술: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
FDV14-187Q

FDV14-187Q

기술: FEMALE DISCONNECT VINYL INS

제조업체: 3M
유품
FDV301N

FDV301N

기술: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
FDV18-187Q

FDV18-187Q

기술: FEMALE DISCONNECT VINYL INS

제조업체: 3M
유품
FDV301N_D87Z

FDV301N_D87Z

기술: MOSFET N-CH 25V 0.22A SOT-23

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
FDV10-250Q

FDV10-250Q

기술: FEMALE DISCONNECT VINYL 1=1PC

제조업체: 3M
유품
FDV302P_D87Z

FDV302P_D87Z

기술: MOSFET P-CH 25V 0.12A SOT-23

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
FDV304P-D87Z

FDV304P-D87Z

기술: MOSFET P-CH 25V 0.46A SOT-23

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
FDV303N

FDV303N

기술: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
FDV18-250Q

FDV18-250Q

기술: FEMALE DISCONNECT VINYL 1=1PC

제조업체: 3M
유품
FDV302P

FDV302P

기술: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오