FFSH2065BDN-F085

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제품 모델

FFSH2065BDN-F085
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

650V 20A SIC SBD GEN1.5
무연 여부 / RoHS 준수 여부
사양서

FFSH2065BDN-F085.pdf
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우

1.7V @ 10A
전압 - 역방향 (Vr) (최대)

650V
제조업체 장치 패키지

TO-247-3
속도

No Recovery Time > 500mA (Io)
연속

Automotive, AEC-Q101
역 회복 시간 (trr)

0ns
패키지 / 케이스

TO-247-3
작동 온도 - 정션

-55°C ~ 175°C
실장 형

Through Hole
다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky
상세 설명

Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole TO-247-3
전류 - 누설 Vr에서 역방향

40µA @ 650V
전류 - 평균 정류 (Io)

10A (DC)
VR, F @ 용량

421pF @ 1V, 100kHz

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기술: 1200V 40A AUTO SIC SBD

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기술: DIODE SIC 1200V 8A TO247

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