FGB20N60SFD

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규격

제품 모델

FGB20N60SFD
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

IGBT 600V 40A 208W D2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

FGB20N60SFD.pdf
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)

600V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)

2.8V @ 15V, 20A
시험 조건

400V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C

13ns/90ns
에너지 전환

370µJ (on), 160µJ (off)
제조업체 장치 패키지

D²PAK
연속

-
역 회복 시간 (trr)

34ns
전력 - 최대

208W
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
다른 이름들

FGB20N60SFD-ND
FGB20N60SFDTR
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 유형

Standard
IGBT 유형

Field Stop
게이트 충전

65nC
상세 설명

IGBT Field Stop 600V 40A 208W Surface Mount D²PAK
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM)

60A
전류 - 콜렉터 (IC) (최대)

40A
기본 부품 번호

FGB20N60

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기술: IGBT 600V 45A 167W TO263AB

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