FJA4213RTU

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제품 모델

FJA4213RTU
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

TRANS PNP 250V 17A TO-3PN
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

FJA4213RTU.pdf
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)

250V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)

3V @ 800mA, 8A
트랜지스터 유형

PNP
제조업체 장치 패키지

TO-3P
연속

-
전력 - 최대

130W
포장

Tube
패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3
작동 온도

150°C (TJ)
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환

30MHz
상세 설명

Bipolar (BJT) Transistor PNP 250V 17A 30MHz 130W Through Hole TO-3P
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가

55 @ 1A, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)

5µA (ICBO)
전류 - 콜렉터 (IC) (최대)

17A

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