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FJN3307RBU

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  • 제품 모델
    FJN3307RBU
  • 제조업체 / 브랜드
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    FJN3307RBU.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    50V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    300mV @ 500µA, 10mA
  • 트랜지스터 유형
    NPN - Pre-Biased
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-92-3
  • 연속
    -
  • 저항기 - 이미 터베이스 (R2)
    47 kOhms
  • 저항기 -베이스 (R1)
    22 kOhms
  • 전력 - 최대
    300mW
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 주파수 - 전환
    250MHz
  • 상세 설명
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    68 @ 5mA, 5V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    100nA (ICBO)
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    100mA

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FJN3310RBU

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FJN3306RBU

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FJN3311RTA

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FJN3307RTA

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기술: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

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FJN3305RBU

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기술: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

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FJN3309RBU

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기술: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

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FJN3304RTA

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FJN3303FTA

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기술: TRANS NPN 400V 1.5A TO-92

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FJN3303RBU

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FJN3312RBU

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