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FJN4302RTA

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$0.03
50000+
$0.027
100000+
$0.024
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규격
  • 제품 모델
    FJN4302RTA
  • 제조업체 / 브랜드
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    FJN4302RTA.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    50V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    300mV @ 500µA, 10mA
  • 트랜지스터 유형
    PNP - Pre-Biased
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-92-3
  • 연속
    -
  • 저항기 - 이미 터베이스 (R2)
    10 kOhms
  • 저항기 -베이스 (R1)
    10 kOhms
  • 전력 - 최대
    300mW
  • 포장
    Tape & Box (TB)
  • 패키지 / 케이스
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 다른 이름들
    FJN4302RTA-ND
    FJN4302RTATB
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    6 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 주파수 - 전환
    200MHz
  • 상세 설명
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92-3
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    30 @ 5mA, 5V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    100nA (ICBO)
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    100mA
  • 기본 부품 번호
    FJN4302

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FJN4306RTA

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FJN3312RTA

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기술: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FJN4303RBU

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기술: TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FJN4307RTA

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기술: TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FJN4306RBU

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기술: TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
FJN4301RBU

FJN4301RBU

기술: TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FJN3313RBU

FJN3313RBU

기술: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FJN3314RBU

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기술: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

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FJN4304RBU

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FJN4305RTA

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제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FJN4304RTA

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FJN4303RTA

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