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FJV4101RMTF

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  • 제품 모델
    FJV4101RMTF
  • 제조업체 / 브랜드
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.FJV4101RMTF.pdf
    2.FJV4101RMTF.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    50V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    300mV @ 500µA, 10mA
  • 트랜지스터 유형
    PNP - Pre-Biased
  • 제조업체 장치 패키지
    SOT-23-3 (TO-236)
  • 연속
    -
  • 저항기 - 이미 터베이스 (R2)
    4.7 kOhms
  • 저항기 -베이스 (R1)
    4.7 kOhms
  • 전력 - 최대
    200mW
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 다른 이름들
    FJV4101RMTF-ND
    FJV4101RMTFTR
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 주파수 - 전환
    200MHz
  • 상세 설명
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    20 @ 10mA, 5V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    100nA (ICBO)
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    100mA
  • 기본 부품 번호
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FJV4104RMTF

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FJV3106RMTF

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FJV3113RMTF

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FJV4107RMTF

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FJV4103RMTF

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FJV4110RMTF

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