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FQA10N80C-F109 이미지

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQA10N80C-F109

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온라인 문의

규격

제품 모델

FQA10N80C-F109
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

FQA10N80C-F109.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

5V @ 250µA
Vgs (최대)

±30V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

TO-3P
연속

QFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

1.1 Ohm @ 5A, 10V
전력 소비 (최대)

240W (Tc)
포장

Tube
패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3
다른 이름들

FQA10N80C_F109
FQA10N80C_F109-ND
FQA10N80C_F109FS
FQA10N80C_F109FS-ND
FQA10N80CF109
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

6 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2800pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

58nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

800V
상세 설명

N-Channel 800V 10A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3P
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Tc)

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기술: MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P

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FQA13N50CF_F109

FQA13N50CF_F109

기술: MOSFET N-CH 500V 15A TO-3P

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