FQI17P06TU

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제품 모델

FQI17P06TU
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

MOSFET P-CH 60V 17A I2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

FQI17P06TU.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

4V @ 250µA
Vgs (최대)

±25V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

I2PAK (TO-262)
연속

QFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

120 mOhm @ 8.5A, 10V
전력 소비 (최대)

3.75W (Ta), 79W (Tc)
포장

Tube
패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V
FET 유형

P-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

60V
상세 설명

P-Channel 60V 17A (Tc) 3.75W (Ta), 79W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Tc)

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