FQI6N60CTU

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제품 모델

FQI6N60CTU
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

FQI6N60CTU.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

4V @ 250µA
Vgs (최대)

±30V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

I2PAK (TO-262)
연속

QFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

2 Ohm @ 2.75A, 10V
전력 소비 (최대)

125W (Tc)
포장

Tube
패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

810pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

600V
상세 설명

N-Channel 600V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A (Tc)

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