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FQU2N90TU

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  • 제품 모델
    FQU2N90TU
  • 제조업체 / 브랜드
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.FQU2N90TU.pdf
    2.FQU2N90TU.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    5V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    I-PAK
  • 연속
    QFET®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    7.2 Ohm @ 850mA, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    2.5W (Ta), 50W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    500pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    900V
  • 상세 설명
    N-Channel 900V 1.7A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-PAK
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    1.7A (Tc)

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기술: MOSFET P-CH 500V 2.1A IPAK

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FQU20N06TU

기술: MOSFET N-CH 60V 16.8A IPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FQU2N90TU-WS

FQU2N90TU-WS

기술: MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FQU2N50BTU-WS

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제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FQU30N06LTU

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기술: MOSFET N-CH 60V 24A IPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FQU3P20TU

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기술: MOSFET P-CH 200V 2.4A IPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FQU4N20TU

FQU4N20TU

기술: MOSFET N-CH 200V 3A IPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FQU20N06LTU

FQU20N06LTU

기술: MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FQU2N60TU

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기술: MOSFET N-CH 600V 2A IPAK

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FQU1N80TU

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제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FQU3N60TU

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기술: MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FQU3N50CTU

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FQU2N90TU-AM002

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기술: MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK

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