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H11AG1M

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10+
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100+
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500+
$0.637
1000+
$0.525
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규격
  • 제품 모델
    H11AG1M
  • 제조업체 / 브랜드
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    H11AG1M.pdf
  • 전압 - 출력 (최대)
    30V
  • 전압 - 분리
    4170Vrms
  • 전압 - 순방향 (Vf) (일반)
    1.25V
  • VCE 채도 (최대)
    400mV
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반)
    5µs, 5µs
  • 제조업체 장치 패키지
    6-DIP
  • 연속
    -
  • 상승 / 하강 시간 (일반)
    -
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 출력 유형
    Transistor with Base
  • 작동 온도
    -40°C ~ 100°C
  • 채널 수
    1
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    9 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 유형
    DC
  • 상세 설명
    Optoisolator Transistor with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-DIP
  • 전류 전달 비 (최소)
    100% @ 1mA
  • 전류 전달 비 (최대)
    -
  • 전류 - 출력 / 채널
    50mA
  • 전류 - DC 순방향 (If) (최대)
    50mA

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H11AG13SD

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H11AG1VM

H11AG1VM

기술: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
H11AG1SR2M

H11AG1SR2M

기술: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD

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H11AA814AW

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제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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H11AG1W

H11AG1W

기술: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
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H11AG1300W

H11AG1300W

기술: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
H11AA814W

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기술: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

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H11AA814ASD

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H11AG1

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기술: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

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H11AG1S

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H11AG1SM

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H11AA814SD

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H11AG1SD

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H11AG1TVM

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기술: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

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