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HGT1S3N60A4DS9A

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  • 제품 모델
    HGT1S3N60A4DS9A
  • 제조업체 / 브랜드
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IGBT 600V 17A 70W D2PAK
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    HGT1S3N60A4DS9A.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    600V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    2.7V @ 15V, 3A
  • 시험 조건
    390V, 3A, 50 Ohm, 15V
  • Td (온 / 오프) @ 25 ° C
    6ns/73ns
  • 에너지 전환
    37µJ (on), 25µJ (off)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-263AB
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    29ns
  • 전력 - 최대
    70W
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 유형
    Standard
  • IGBT 유형
    -
  • 게이트 충전
    21nC
  • 상세 설명
    IGBT 600V 17A 70W Surface Mount TO-263AB
  • 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM)
    40A
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    17A

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HGT1S20N36G3VL

HGT1S20N36G3VL

기술: IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
HGT1S20N35G3VLS

HGT1S20N35G3VLS

기술: IGBT 380V 20A 150W TO263AB

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
HGTG10N120BND

HGTG10N120BND

기술: IGBT 1200V 35A 298W TO247

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
HGT1S2N120CN

HGT1S2N120CN

기술: IGBT 1200V 13A 104W I2PAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
HGTD3N60C3S9A

HGTD3N60C3S9A

기술: IGBT 600V 6A 33W TO252AA

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A

기술: IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
HGT1S7N60C3DS9A

HGT1S7N60C3DS9A

기술: IGBT 600V 14A 60W TO263AB

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
HGT1S20N60A4S9A

HGT1S20N60A4S9A

기술: IGBT 600V 70A 290W TO263AB

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
HGT1S20N60C3S9A

HGT1S20N60C3S9A

기술: IGBT 600V 45A 164W TO263AB

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
HGTG11N120CND

HGTG11N120CND

기술: IGBT 1200V 43A 298W TO247

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
HGTG11N120CN

HGTG11N120CN

기술: IGBT 1200V 43A 298W TO247

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
HGT1S10N120BNST

HGT1S10N120BNST

기술: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
HGTD7N60C3S9A

HGTD7N60C3S9A

기술: IGBT 600V 14A 60W TO252AA

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
HGT1S7N60A4DS

HGT1S7N60A4DS

기술: IGBT 600V 34A 125W TO263AB

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
HGT1S14N36G3VLS

HGT1S14N36G3VLS

기술: IGBT 390V 18A 100W TO263AB

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
HGT1S12N60A4DS

HGT1S12N60A4DS

기술: IGBT 600V 54A 167W D2PAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
HGT1S14N36G3VLT

HGT1S14N36G3VLT

기술: IGBT 390V 18A 100W TO262AA

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
HGT1S12N60A4S9A

HGT1S12N60A4S9A

기술: IGBT 600V 54A 167W TO263AB

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
HGT1S7N60C3DS

HGT1S7N60C3DS

기술: IGBT 600V 14A 60W TO263AB

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
HGTG12N60A4

HGTG12N60A4

기술: IGBT 600V 54A 167W TO247

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
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