Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-바이 폴라 (bjt)-싱글 > MJ11030G
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
1090818MJ11030G 이미지AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJ11030G

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    MJ11030G
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    90V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    3.5V @ 500mA, 50A
  • 트랜지스터 유형
    NPN - Darlington
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-3
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    300W
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    TO-204AE
  • 작동 온도
    -55°C ~ 200°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 주파수 - 전환
    -
  • 상세 설명
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 90V 50A 300W Through Hole TO-3
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    1000 @ 25A, 5V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    2mA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    50A
MJ1102FE-R52

MJ1102FE-R52

기술: RES 11K OHM 1/8W 1% AXIAL

제조업체: Ohmite
유품
MJ1133FE-R52

MJ1133FE-R52

기술: RES 113K OHM 1/8W 1% AXIAL

제조업체: Ohmite
유품
MJ11016

MJ11016

기술: TRANS NPN DARL 120V 30A TO3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
MJ11032G

MJ11032G

기술: TRANS NPN DARL 120V 50A TO3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
MJ11028G

MJ11028G

기술: TRANS NPN DARL 60V 50A TO3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
MJ11022

MJ11022

기술: TRANS NPN DARL 250V 15A TO-3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
MJ11022G

MJ11022G

기술: TRANS NPN DARL 250V 15A TO-3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
MJ11033G

MJ11033G

기술: TRANS PNP DARL 120V 50A TO3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
MJ11016G

MJ11016G

기술: TRANS NPN DARL 120V 30A TO3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
MJ1101FE-R52

MJ1101FE-R52

기술: RES 1.1K OHM 1/8W 1% AXIAL

제조업체: Ohmite
유품
MJ1132FE-R52

MJ1132FE-R52

기술: RES 11.3K OHM 1/8W 1% AXIAL

제조업체: Ohmite
유품
MJ1103FE-R52

MJ1103FE-R52

기술: RES 110K OHM 1/8W 1% AXIAL

제조업체: Ohmite
유품
MJ11032

MJ11032

기술: TRANS NPN DARL 120V 50A TO3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
MJ11021G

MJ11021G

기술: TRANS PNP DARL 250V 15A TO-3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
MJ1150FE-R52

MJ1150FE-R52

기술: RES 115 OHM 1/8W 1% AXIAL

제조업체: Ohmite
유품
MJ11021

MJ11021

기술: TRANS PNP DARL 250V 15A TO-3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
MJ11030

MJ11030

기술: TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
MJ1131FE-R52

MJ1131FE-R52

기술: RES 1.13K OHM 1/8W 1% AXIAL

제조업체: Ohmite
유품
MJ1130FE-R52

MJ1130FE-R52

기술: RES 113 OHM 1/8W 1% AXIAL

제조업체: Ohmite
유품
MJ1152FE-R52

MJ1152FE-R52

기술: RES 11.5K OHM 1/8W 1% AXIAL

제조업체: Ohmite
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오