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MJD117-1G

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  • 제품 모델
    MJD117-1G
  • 제조업체 / 브랜드
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    MJD117-1G.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    100V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    3V @ 40mA, 4A
  • 트랜지스터 유형
    PNP - Darlington
  • 제조업체 장치 패키지
    I-PAK
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    1.75W
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • 다른 이름들
    MJD117-1G-ND
    MJD117-1GOS
  • 작동 온도
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    6 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 주파수 - 전환
    25MHz
  • 상세 설명
    Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Through Hole I-PAK
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    1000 @ 2A, 3V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    20µA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    2A
  • 기본 부품 번호
    MJD117

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MJD117T4

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MJD117G

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MJD112RLG

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기술: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

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MJD122T4

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기술: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

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MJD112TF

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기술: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

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MJD117T4G

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기술: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MJD122-TP

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기술: TRANS NPN 100V 8A DPAK

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)
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MJD112RL

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기술: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

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MJD117RLG

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기술: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

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MJD117

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기술: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

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MJD122-1

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