Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-바이 폴라 (bjt)-싱글 > MSD1328-RT1G
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
1446782MSD1328-RT1G 이미지AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MSD1328-RT1G

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    MSD1328-RT1G
  • 제조업체 / 브랜드
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS NPN 20V 0.5A SC-59
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    MSD1328-RT1G.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    20V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    400mV @ 20mA, 500mA
  • 트랜지스터 유형
    NPN
  • 제조업체 장치 패키지
    SC-59
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    200mW
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 주파수 - 전환
    -
  • 상세 설명
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 500mA 200mW Surface Mount SC-59
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    200 @ 500mA, 2V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    100nA (ICBO)
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    500mA

KIOXIA는 11 월 22 일에 상장 승인을 받고 시장 가치는 50 억 ...

2024년11월21일

Tower Semiconductor의 최신 실리콘 광학 플랫폼

2024년11월20일

업계는 천천히 회복됩니다.Epitaxial 공급 업체 IQE는 중국 대...

2024년11월19일

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024년11월19일

The core value and future development trend of passive comp...

2024년11월18일

공급 업체 : 많은 RTX 50 시리즈 GPU 구성 요소가 12 월에 제공...

2024년11월18일

대만, 중국 반도체의 출력 가치는 올해 22% 증가한 $ 5.3 ...

2024년11월17일

OLED 패널 생산 확장 LG 디스플레이는 베트남에 10 억 달러를 ...

2024년11월15일

아마존

2024년11월14일

Pegatron의 Q3 순이익은 NT $ 4.296 Billion, 분기별로 23.1...

2024년11월13일

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024년11월13일

한국은 트럼프의 위협에 대항하기 위해 칩 법을 제정 할 계획입...

2024년11월13일
배송
지불
다음은 "MSD1328-RT1G"관련 제품입니다.
MSD130-16

MSD130-16

기술: DIODE BRIDGE 1600V 130A SM3

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSD15-2415

MSD15-2415

기술: DC DC CONVERTER +/-15V 15W

제조업체: Volgen / Division of Kaga Electronics USA
유품
RFQ
MSD100-18

MSD100-18

기술: DIODE BRIDGE 1800V 100A M3

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSD100-08

MSD100-08

기술: DIODE BRIDGE 800V 100A SM3

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSD160-08

MSD160-08

기술: DIODE BRIDGE 3PH 800V 160A SM3

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSD016K

MSD016K

기술: MEMORY MICRO SD

제조업체: SolidRun
유품
RFQ
MSD130-12

MSD130-12

기술: DIODE BRIDGE 3PH 1200V 130A SM3

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSD1819A-RT1G

MSD1819A-RT1G

기술: TRANS NPN 50V 0.1A SOT-323

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
MSD130-08

MSD130-08

기술: DIODE BRIDGE 3PH 800V 130A SM3

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSD130-18

MSD130-18

기술: DIODE BRIDGE 1800V 130A M3

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSD016B

MSD016B

기술: MEMORY MICRO SD 16GB BLANK

제조업체: SolidRun
유품
RFQ
MSD15-4815

MSD15-4815

기술: DC DC CONVERTER +/-15V 15W

제조업체: Volgen / Division of Kaga Electronics USA
유품
RFQ
MSD15-2412

MSD15-2412

기술: DC DC CONVERTER +/-12V 15W

제조업체: Volgen / Division of Kaga Electronics USA
유품
RFQ
MSD100-16

MSD100-16

기술: DIODE BRIDGE 1600V 100A SM3

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSD160-16

MSD160-16

기술: MOD DIODE GPP 1600V 160A M3

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSD160-12

MSD160-12

기술: DIODE BRIDGE 3PH 1200V 160A SM3

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSD160-18

MSD160-18

기술: MOD BRIDGE 3PH 1800V 160A M3

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSD1328-ST1G

MSD1328-ST1G

기술: TRANS NPN 20V 0.5A SC-59

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
MSD100-12

MSD100-12

기술: DIODE BRIDGE 3PH 1200V 100A SM3

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSD15-4812

MSD15-4812

기술: DC DC CONVERTER +/-12V 15W

제조업체: Volgen / Division of Kaga Electronics USA
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.