MTD10N10ELT4

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제품 모델

MTD10N10ELT4
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부

납 함유 / RoHS 비 준수
사양서

MTD10N10ELT4.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

2V @ 250µA
Vgs (최대)

±15V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

DPAK
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

220 mOhm @ 5A, 5V
전력 소비 (최대)

1.75W (Ta), 40W (Tc)
포장

Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
다른 이름들

MTD10N10ELT4OSCT
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Contains lead / RoHS non-compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1040pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 5V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

100V
상세 설명

N-Channel 100V 10A (Tc) 1.75W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount DPAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Tc)

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