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MUN2211T1G

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규격
  • 제품 모델
    MUN2211T1G
  • 제조업체 / 브랜드
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    MUN2211T1G.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    50V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    250mV @ 300µA, 10mA
  • 트랜지스터 유형
    NPN - Pre-Biased
  • 제조업체 장치 패키지
    SC-59
  • 연속
    -
  • 저항기 - 이미 터베이스 (R2)
    10 kOhms
  • 저항기 -베이스 (R1)
    10 kOhms
  • 전력 - 최대
    230mW
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 다른 이름들
    MUN2211T1GOS
    MUN2211T1GOS-ND
    MUN2211T1GOSTR
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    12 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    35 @ 5mA, 10V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    500nA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    100mA
  • 기본 부품 번호
    MUN2211

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기술: TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59

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MUN2137T1

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기술: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

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MUN2135T1G

MUN2135T1G

기술: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

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기술: TRANS PREBIAS PNP 0.23W SC59

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MUN2211JT1G

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기술: TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59

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MUN2214T1G

MUN2214T1G

기술: TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

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MUN2212T1G

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기술: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

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MUN2211T3G

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기술: TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

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MUN2213JT1G

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기술: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

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MUN2134T1

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기술: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

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MUN2136T1G

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기술: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

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MUN2211T3

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기술: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

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MUN2213JT1

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기술: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

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