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  • 제품 모델
    MUN5312DW1T2G
  • 제조업체 / 브랜드
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    MUN5312DW1T2G.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    50V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    250mV @ 300µA, 10mA
  • 트랜지스터 유형
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 제조업체 장치 패키지
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • 연속
    -
  • 저항기 - 이미 터베이스 (R2)
    22 kOhms
  • 저항기 -베이스 (R1)
    22 kOhms
  • 전력 - 최대
    385mW
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    40 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 주파수 - 전환
    -
  • 상세 설명
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 385mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    60 @ 5mA, 10V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    500nA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    100mA
  • 기본 부품 번호
    MUN53**DW1

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MUN5238T1G

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기술: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

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기술: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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기술: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

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기술: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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기술: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

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